電源に入力電圧を印加した瞬間、平滑コンデンサ（C1）への充電電流が流れるため、ヒューズ溶断やスイッチ接点が溶着する恐れがあります。
このため、つぎのような突入電流防止回路を電源内部に設け、突入電流を制御しています。

1.抵抗制御方式（図1）

入力ラインに抵抗を挿入するものと、ラインフィルタのコイルの抵抗値を利用する方法があります。
電源動作時において常時損失しているため、小電力電源向けに使用されます。

2.サーミスタ方式（図2）

入力ラインにサーミスタを挿入する方法で、低温時（抵抗値大）↔高温時（抵抗値小）となるサーミスタの特性を利用した回路です。

回路動作

• （1）電源投入時は高い抵抗値で突入電流を抑えます。
• （2）通電によって温度が上がると、抵抗値が下がるためサーミスタでの損失が低減します。

（注）電源の温度が充分下がる前に入力電圧を再投入されますと、サーミスタの抵抗値が低い状態での入力電圧印加となり、突入電流値が大きくなりますのでご注意ください。

3.サイリスタ方式（図3）

サイリスタと抵抗（セメント抵抗など）を並列にした回路です。

回路動作

• （1）電源投入時、抵抗のみで突入電流を抑えます（SCR1：OFF状態）。
• （2）ある一定時間経過後、SCR1がONします（抵抗の損失をなくす）。
• （3）SCR1がONするまでに、C1の充電が完了していない場合、2回目の突入電流が流れます。

4.DC-DCコンバータ（図4）

DC-DCコンバータの場合、入力側に大きな容量のコンデンサを使用していないため、ほとんどの製品に突入電流防止回路を設けておりません。
また、急峻な立ち上がりの入力電圧を印加したり、機械的スイッチでON-OFFする場合、短時間ですが突入電流が流れますのでご注意ください。

また、入力側にコンデンサを使用する場合、突入電流を低減する手段としては、図4に示す突入電流防止回路が有効です。

回路動作

• （1）電源投入時、CRの時定数によりFETのゲート－ソース電圧（Vth）が上昇します。
• （2）FETのVth特性によって、C1へ電流が流れます。
• （3）ある一定時間経過後、FETが完全にONします。

（注）FETのゲート－ドレイン間が短絡故障した場合、不完全なON状態となり、FETの電力損失が増大し発熱し続けますので、放熱または温度ヒューズを取り付ける等の対策をお願いします。